(0)
Изображение служит лишь для справки
1SS184TE85R2
-
Toshiba
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- R-PDSO-G3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：3
- Артикул Производителя：1SS184TE85R2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Описание пакета：R-PDSO-G3
- Ранг риска：5.66
- Максимальное напряжение включения：1.2 V
- Количество элементов：2
- Температура работы-Макс：125 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная мощность рассеяния：0.15 W
- Код ECCN：EAR99
- Применение：GENERAL PURPOSE
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.70
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
- Тип диода：RECTIFIER DIODE
- Выводная мощность-макс：0.05 A
- Количество фаз：1
- Максимальное обратное напряжение：85 V
- Максимальная прямая сила тока в пакете：2 A
- Максимальный обратный ток：0.5 µA
- Минимальная напряжение разрушения：80 V
- Время обратной восстановительной максимальная：0.004 µs
- Обратная тестовая напряжение：80 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
