Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
1N4473US-TR
-
Microsemi
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- O-LELF-R2
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Артикул Производителя:1N4473US-TR
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Описание пакета:O-LELF-R2
- Ранг риска:5.1
- Количество элементов:1
- Материал корпуса пакета:GLASS
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:LONG FORM
- Максимальная мощность рассеяния:1.5 W
- Номинальный напряжений отсчета:11 V
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика:METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Положение терминала:END
- Форма вывода:WRAP AROUND
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:2
- Код JESD-30:O-LELF-R2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:ZENER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Допустимый напряжений предел:5%
- Тестовая рабочая токовая струя:23 mA
Со склада 0
Итого $0.00000