Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
1SV232TPH2
-
Toshiba
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- R-PDSO-G2
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Артикул Производителя:1SV232TPH2
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Описание пакета:R-PDSO-G2
- Ранг риска:5.73
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:125 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:SMALL TRACKING ERROR, 2% MATCHED SETS ARE AVAILABLE
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
- Максимальный обратный ток:0.01 µA
- Минимальная напряжение разрушения:30 V
- Обратная тестовая напряжение:28 V
- Диапазон частот:VERY HIGH FREQUENCY
- Диод Капацитирующий-Ном:30.3 pF
- Соотношение минимальной диодной ёмкости:10
Со склада 0
Итого $0.00000