Изображение служит лишь для справки






15N06G-TF3-T
-
Unisonic
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:15N06G-TF3-T
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Код упаковки компонента:TO-220AB
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Ранг риска:5.64
- Максимальный ток утечки (ID):15 A
- Количество элементов:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.1 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:60 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):50 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000