1.5KE33AR0

Name: Taiwan Semiconductor 1.5KE33AR0
Brand: Taiwan Semiconductor
Rating: 4.9 (17 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 years ago)
Поверхностный монтаж：NO
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：2
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
Артикул Производителя：1.5KE33AR0
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Описание пакета：O-PALF-W2
Ранг риска：5.3
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：175 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：ROUND
Форма упаковки：LONG FORM
Максимальная мощность рассеяния：5 W
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Обратная напряженность отстоя：28.2 V
Статус жизненного цикла производителя：ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
РХОС：Compliant
Пакетирование：Tape and Reel
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：175 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Положение терминала：AXIAL
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：O-PALF-W2
Направленность：UNIDIRECTIONAL
Конфигурация：SINGLE
Ток утечки：1 µA
Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Сокетная связка：ISOLATED
Уровень задержки：45.7 V
Пиковый импульсный ток：34 A
Максимальная импульсная мощность：1.5 kW
Ток испытания：1 mA
Максимальное обратное напряжение：28.2 V
Код JEDEC-95：DO-201
Обратное пробивное напряжение：31.4 V
Максимальная мощность разрядки：1500 W
Минимальная напряжение разрушения：31.4 V
Максимальная напряжённость разрушения：34.7 V
Корпусировка на излучение：No

Со склада 0

Итого $0.00000