Изображение служит лишь для справки
2N6428
- Central Semiconductor
- Интегральные схемы (ИС)
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 50Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Поставщик упаковки устройства:TO-92
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:2N6428
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.36
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:CYLINDRICAL
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Траниционный частотный предел (fT):100 MHz
- Максимальный коллекторный ток (Ic):200mA
- Рабочая температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:--
- Пакетирование:Bulk
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Состояние изделия:Active
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:O-PBCY-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Мощность - Макс:1.5W
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:250 @ 10mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):25nA
- Код JEDEC-95:TO-92
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:100MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.625 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):250
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
Со склада 0
Итого $0.00000