(0)
Изображение служит лишь для справки
2N65ZLG-TM3-R
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：2N65ZLG-TM3-R
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Ранг риска：5.57
- Максимальный ток утечки (ID)：2 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：IN-LINE
- Время отключения макс. (toff)：110 ns
- Время включения макс. (ton)：90 ns
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-251
- Максимальный сливовой ток (ID)：2 A
- Сопротивление открытого канала-макс：5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：8 A
- Минимальная напряжённость разрушения：650 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：140 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：28 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：7 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
