Изображение служит лишь для справки
2N6327
- Microchip
- Интегральные схемы (ИС)
- TO-204AA, TO-3
- Transistor GP BJT NPN 80V 30A 2-Pin TO-3
- Date Sheet
Lagernummer 2490
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-204AA, TO-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-3
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:200 °C
- Материал корпуса пакета:METAL
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Траниционный частотный предел (fT):3 MHz
- Артикул Производителя:2N6327
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:Texas INC
- Ранг риска:5.49
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):30 A
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетная партия производителя:1
- Бренд:Microchip Technology
- РХОС:Details
- Рабочая температура:-
- Серия:-
- Пакетирование:Bulk
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Технология:Si
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Код JESD-30:O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Мощность - Макс:200 W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:-
- Ток - отсечка коллектора (макс):-
- Код JEDEC-95:TO-3
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:-
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):80 V
- Частота - Переход:-
- Максимальная потеря мощности (абс.):114 W
- Максимальный ток коллектора (IC):30 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):6
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:80 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 2490
Итого $0.00000