Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Артикул Производителя:2N5116PBFREE
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
  • Описание пакета:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
  • Ранг риска:5.61
  • Количество элементов:1
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Минимальная температура работы:-65 °C
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Форма упаковки:ROUND
  • Форма упаковки:CYLINDRICAL
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Вес единицы:0.011020 oz
  • Пакетная партия производителя:2000
  • Партийные обозначения:2N5116
  • Бренд:Central Semiconductor
  • РХОС:Details
  • Пакетирование:Bulk
  • Код JESD-609:e3
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
  • Подкатегория:Transistors
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:WIRE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Код JESD-30:O-MBCY-W3
  • Конфигурация:SINGLE
  • Режим работы:DEPLETION MODE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Тип продукта:JFETs
  • Код JEDEC-95:TO-18
  • Сопротивление открытого канала-макс:150 Ω
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):JUNCTION
  • Максимальная потеря мощности (абс.):0.5 W
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):7 pF
  • Максимальная мощность dissipation окружающей среды:0.5 W
  • Категория продукта:JFET

Со склада 0

Итого $0.00000