(0)
Изображение служит лишь для справки
2N3767PBFREE
-
Central Semiconductor
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：2N3767PBFREE
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Ранг риска：5.61
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Материал корпуса пакета：METAL
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Траниционный частотный предел (fT)：10 MHz
- РХОС：Details
- Бренд：Central Semiconductor
- Пакетная партия производителя：30
- Полярность транзистора：NPN
- Пакетирование：Tube
- Код JESD-609：e3
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Подкатегория：Transistors
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Код JEDEC-95：TO-66
- Максимальная потеря мощности (абс.)：25 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：4 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
- Максимальное напряжение на выходе：2.5 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：50 pF
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
