Изображение служит лишь для справки
2SK3210STL-E
-
Renesas Electronics America
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Nch Single Power Mosfet 150V 30A 45Mohm LDPAK(S)-(1)/To-263
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：2SK3210STL-E
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Код упаковки компонента：LDPAK(S)-(1)
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
- Код упаковки производителя：PRSS0004AE-B4
- Ранг риска：5.39
- Максимальный ток утечки (ID)：30 A
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу：20
- Код JESD-609：e6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN BISMUTH
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：245
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：30 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.063 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：120 A
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：100 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты