Изображение служит лишь для справки
2SK3297-AZ
- Renesas Electronics America
- Интегральные схемы (ИС)
- -
- Switching N Channel MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:2SK3297-AZ
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Код упаковки компонента:MP-45F
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Код упаковки производителя:PRSS0003AK-A3
- Ранг риска:5.39
- Максимальный ток утечки (ID):5 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Название бренда:Renesas
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID):5 A
- Сопротивление открытого канала-макс:1.6 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:20 A
- Минимальная напряжённость разрушения:600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):16.7 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):35 W
Со склада 0
Итого $0.00000