Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
AP1RA03GMT-HF
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:AP1RA03GMT-HF
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
- Описание пакета:6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PMPAK-8
- Ранг риска:5.74
- Максимальный ток утечки (ID):185 A
- Количество элементов:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.003 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:300 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):28.8 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000