Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
AP4563AGH-HF
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:AP4563AGH-HF
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
- Код упаковки компонента:TO-252
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
- Ранг риска:5.71
- Максимальный ток утечки (ID):9.6 A
- Количество элементов:2
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:5
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.02 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:40 A
- Минимальная напряжённость разрушения:40 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000