Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
AP30G120ASW
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:AP30G120ASW
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
- Код упаковки компонента:TO-3P
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Ранг риска:5.61
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Время отключения (toff):555 ns
- Время включения (тон):85 ns
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:2
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.):208 W
- Максимальный ток коллектора (IC):60 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):30 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:7 V
- Время падения максимальное (tf):860 ns
Со склада 0
Итого $0.00000