Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
APTC60HM70SCT
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:14
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:APTC60HM70SCT
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.72
- Максимальный ток утечки (ID):39 A
- Количество элементов:4
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-XUFM-X14
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):39 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.07 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:156 A
- Минимальная напряжённость разрушения:600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):1800 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):250 W
Со склада 0
Итого $0.00000