Изображение служит лишь для справки






AP1003BST
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:AP1003BST
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
- Описание пакета:CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
- Ранг риска:5.71
- Максимальный ток утечки (ID):17.3 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:CHIP CARRIER
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:NO LEAD
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-XBCC-N3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0047 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:150 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):28.8 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000