Изображение служит лишь для справки
CMT18N20N220
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：CMT18N20N220
- Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
- Производитель IHS：CHAMPION MICROELECTRONIC CORP
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Ранг риска：5.76
- Максимальный ток утечки (ID)：18 A
- Время включения макс. (ton)：90 ns
- Время отключения макс. (toff)：140 ns
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Количество элементов：1
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：18 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.18 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：72 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：300 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты