Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Артикул Производителя:CEDM8001
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
  • Описание пакета:CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
  • Ранг риска:5.62
  • Максимальный ток утечки (ID):0.1 A
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Количество элементов:1
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:CHIP CARRIER
  • Максимальная температура рефлоу:10
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
  • Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-XBCC-N3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:8 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:20 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Со склада 0

Итого $0.00000