(0)
Изображение служит лишь для справки
CTS521,L3F(T
-
Toshiba
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial
Date Sheet
Lagernummer 18398
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Артикул Производителя：CTS521,L3F(T
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Описание пакета：R-XBCC-N2
- Ранг риска：4.68
- Максимальное напряжение включения：0.5 V
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：100 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Максимальная мощность рассеяния：0.15 W
- Формат упаковки：CST
- Глубина продукта (мм)：0.6(mm)
- Монтаж：Surface Mount
- Квантовозащитный：No
- Квалификация：-
- Пакетирование：Tape and Reel
- Применение：GENERAL PURPOSE
- Дополнительная Характеристика：PD-CASE
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：2
- Код JESD-30：R-XBCC-N2
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：RECTIFIER DIODE
- Выводная мощность-макс：0.2 A
- Количество фаз：1
- Время обратной рекомпенсации：-
- Максимальное обратное напряжение：30 V
- Максимальная прямая сила тока в пакете：1 A
- Конфигурация диода：Single
- Максимальный обратный ток：30 µA
- Пиковая обратная напряжение повторяемости：30V
- Обратная тестовая напряжение：30 V
- Длина продукта (мм)：1(mm)
Со склада 18398
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
