Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
CM400HG-66H
-
Mitsubishi Materials U.S.A
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- POWER IGBT TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:CM400HG-66H
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Код упаковки компонента:MODULE
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
- Ранг риска:5.25
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:5
- Код JESD-30:R-XUFM-X5
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.):4100 W
- Максимальный ток коллектора (IC):400 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:3300 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20 V
- Максимальное напряжение на выходе:4.2 V
- Высота (мм):40 mm
Со склада 0
Итого $0.00000