Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
CM100TX-34T
-
Mitsubishi Materials U.S.A
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- POWER IGBT TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 2860
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:35
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X35
- Ранг риска:5.56
- Количество элементов:6
- Артикул Производителя:CM100TX-34T
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Время подъема макс:200 ns
- Время отключения макс. (toff):1400 ns
- Время включения макс. (ton):1000 ns
- Пакетная партия производителя:10
- Бренд:Mitsubishi Electric
- РХОС:Details
- Код JESD-609:e3
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:UL RECOGNISED
- Подкатегория:IGBTs
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PUFM-X35
- Конфигурация:3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Тип продукта:IGBT Modules
- Максимальная потеря мощности (абс.):590 W
- Максимальный ток коллектора (IC):100 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1700 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20 V
- Максимальное напряжение на выходе:2.4 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:6.6 V
- Время падения максимальное (tf):600 ns
- Категория продукта:IGBT Modules
Со склада 2860
Итого $0.00000