Изображение служит лишь для справки
CJD32CBK
- Central Semiconductor
- Интегральные схемы (ИС)
- -
- Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transisto
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:CJD32CBK
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.09
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Траниционный частотный предел (fT):3 MHz
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Максимальная потеря мощности (абс.):15 W
- Максимальный ток коллектора (IC):3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):10
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:100 V
- Максимальное напряжение на выходе:1.2 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:15 W
Со склада 0
Итого $0.00000