Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
CDM2205-800FP
-
Central Semiconductor
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- N-Channel Power MOSFET 800V 5A 3-Pin TO-220FP Bag - Rail/Tube (Alt: CDM2205-800FP)
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:CDM2205-800FP
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета:TO-220FP, 3 PIN
- Ранг риска:5.69
- Максимальный ток утечки (ID):5 A
- Количество элементов:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:2.7 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:20 A
- Минимальная напряжённость разрушения:800 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):323 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000