IDT6116LA25SOGI

Name: Renesas Electronics America IDT6116LA25SOGI
Brand: Renesas Electronics America
Rating: 4.9 (14 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：24
Артикул Производителя：IDT6116LA25SOGI
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Код упаковки компонента：SOIC
Описание пакета：SOP, SOP24,.4
Ранг риска：5.13
Описание Samacsys：SRAM Asynch 16K 2Kx8 25ns 5V SOIC24 IDT IDT6116LA25SOGI SRAM Memory, 16kbit, 4.5 u2192 5.5 V, 25ns 24-Pin SOIC
Время доступа-максимум：25 ns
Уровни чувствительности к влажности：1
Количество слов：2048 words
Количество кодовых слов：2000
Температура работы-Макс：85 °C
Минимальная температура работы：-40 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код пакета：SOP
Код эквивалентности пакета：SOP24,.4
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Номинальное напряжение питания (Вн)：5 V
Максимальная температура рефлоу：30
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Количество функций：1
Шаг выводов：1.27 mm
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：24
Код JESD-30：R-PDSO-G24
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.5 V
Блоки питания：5 V
Градация температуры：INDUSTRIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：4.5 V
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.075 mA
Организация：2KX8
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：2.65 mm
Ширина памяти：8
Плотность памяти：16384 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
Минимальная напряжение спящего режима：2 V
Длина：15.4 mm
Ширина：7.5 mm

Со склада 0

Итого $0.00000