(0)
Изображение служит лишь для справки
IS43TR82560CL-125KBL
-
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
-
Разъемы памяти - Аксессуары
- 78-TFBGA
- 2G, 1.35V, Ddr3L, 256Mx8, 1600Mt/s @ 11-11-11, 78 Ball Bga (8Mm X10.5Mm) Rohs, It
Date Sheet
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：78-TFBGA
- Поставщик упаковки устройства：78-TWBGA (8x10.5)
- Количество терминалов：78
- Артикул Производителя：IS43TR82560CL-125KBL
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Описание пакета：TFBGA,
- Ранг риска：5.6
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество слов：268435456 words
- Количество кодовых слов：256000000
- Температура работы-Макс：85 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：TFBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.35 V
- Максимальная температура рефлоу：10
- Максимальная частота такта：800 MHz
- Поставщикская упаковка：TWBGA
- Количество линий ввода/вывода：8 Bit
- Монтаж：Surface Mount
- Пакет：Bulk
- Mfr：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Состояние продукта：Active
- Типы памяти：Volatile
- Чувствительный к влажности：Yes
- Пакетная партия производителя：242
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Бренд：ISSI
- РХОС：Details
- Уровень применения：Commercial grade
- Рабочая температура：0 to 95 °C
- Серия：-
- Пакетирование：Reel
- Код JESD-609：e1
- Код ECCN：EAR99
- Тип：DDR3L SDRAM
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Дополнительная Характеристика：PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
- Подкатегория：Memory & Data Storage
- Напряжение - Питание：1.283V ~ 1.45V
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：78
- Код JESD-30：R-PBGA-B78
- Входной напряжение питания：1.3500 V
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.45 V
- Градация температуры：OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.283 V
- Размер памяти：2Gbit
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：800 MHz
- Время доступа：20 ns
- Формат памяти：DRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Ширина данных в сети：8 Bit
- Организация：256MX8
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：8
- Время цикла записи - слово, страница：15ns
- Ширина адресной шины：15 Bit
- Тип продукта：DRAM
- Плотность：2 Gbit
- Плотность памяти：2147483648 bit
- Уровень фильтрации：Commercial
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
- Режим доступа：MULTI BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
- Категория продукта：DRAM
- Количество банков：8
- Организация памяти：256M x 8
- Длина：10.5 mm
- Ширина：8 mm
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
