Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IS43LD32128A-18BPLI
-
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
-
Разъемы памяти - Аксессуары
- 168-VFBGA
- DRAM Chip Mobile LPDDR2 S4 SDRAM 4G-Bit 128M x 32 1.2V 168-Pin VFBGA (Alt: IS43LD32128A-18BPLI)
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:168-VFBGA
- Поставщик упаковки устройства:168-VFBGA (12x12)
- Количество терминалов:168
- Артикул Производителя:IS43LD32128A-18BPLI
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Описание пакета:VFBGA,
- Ранг риска:5.65
- Номинальное напряжение питания (Вн):1.8 V
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Форма упаковки:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
- Форма упаковки:SQUARE
- Код пакета:VFBGA
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Температура работы-Макс:85 °C
- Количество кодовых слов:128000000
- Количество слов:134217728 words
- Пакет:Tray
- Основной номер продукта:IS43LD32128
- Mfr:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Состояние продукта:Obsolete
- Типы памяти:Volatile
- Рабочая температура:-40°C ~ 85°C (TC)
- Серия:-
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.2V NOM
- Напряжение - Питание:1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.5 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:S-PBGA-B168
- Напряжение питания максимальное (Vпит):1.95 V
- Градация температуры:INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):1.7 V
- Размер памяти:4Gbit
- Количество портов:1
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Частота часов:533 MHz
- Время доступа:5.5 ns
- Формат памяти:DRAM
- Интерфейс памяти:HSUL_12
- Организация:128MX32
- Максимальная высота посадки:0.95 mm
- Ширина памяти:32
- Время цикла записи - слово, страница:15ns
- Плотность памяти:4294967296 bit
- Тип микросхемы памяти:DDR DRAM
- Режим доступа:MULTI BANK PAGE BURST
- Автоперезапись:YES
- Организация памяти:128M x 32
- Длина:12 mm
- Ширина:12 mm
Со склада 0
Итого $0.00000