Изображение служит лишь для справки
IRFZ34STRRPBF
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:IRFZ34STRRPBF
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Код упаковки компонента:D2PAK
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Ранг риска:5.02
- Описание Samacsys:Power MOSFET
- Максимальный ток утечки (ID):30 A
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу:30
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Максимальный сливовой ток (ID):30 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.05 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:120 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):200 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):88 W
Со склада 0
Итого $0.00000