Изображение служит лишь для справки
U1ZB51TE12R
-
Toshiba
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- R-PDSO-C2
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Артикул Производителя：U1ZB51TE12R
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Описание пакета：R-PDSO-C2
- Ранг риска：5.86
- Пороговая напряжённость-номинал：51 V
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная мощность рассеяния：1 W
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- РХОС：Non-Compliant
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-C2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Напряжение Зенера：51 V
- Максимальный обратный ток：10 µA
- Минимальная напряжение разрушения：45.9 V
- Максимальная напряжённость разрушения：56.1 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты