Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
W3E64M72S-266SBM
-
Microsemi
-
Разъемы памяти - Аксессуары
- -
- DRAM Memory
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:219
- Артикул Производителя:W3E64M72S-266SBM
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:MERCURY SYSTEMS INC
- Описание пакета:BGA,
- Ранг риска:5.26
- Время доступа-максимум:0.75 ns
- Количество слов:67108864 words
- Количество кодовых слов:64000000
- Температура работы-Макс:125 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код пакета:BGA
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:GRID ARRAY
- Номинальное напряжение питания (Вн):2.5 V
- Максимальная температура рефлоу:30
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.36
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C):225
- Количество функций:1
- Шаг выводов:1.27 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PBGA-B219
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):2.7 V
- Градация температуры:MILITARY
- Напряжение питания минимальное (Vпит):2.3 V
- Количество портов:1
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Организация:64MX72
- Ширина памяти:72
- Плотность памяти:4831838208 bit
- Тип микросхемы памяти:DDR DRAM
- Режим доступа:FOUR BANK PAGE BURST
- Автоперезапись:YES
Со склада 0
Итого $0.00000