Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:1 Week
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:HUF76609D3ST
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ON SEMICONDUCTOR
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Код упаковки производителя:369AS
- Ранг риска:0.74
- Максимальный ток утечки (ID):10 A
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Название бренда:ON Semiconductor
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252AA
- Максимальный сливовой ток (ID):10 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.168 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):49 W
Со склада 0
Итого $0.00000