Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:7
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Артикул Производителя:BSG0811ND
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N7
  • Ранг риска:1.75
  • Описание Samacsys:Dual N-CH 25V 50A 3/0,8mOhm
  • Максимальный ток утечки (ID):19 A
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Количество элементов:2
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Код JESD-30:R-PDSO-N7
  • Конфигурация:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:SOURCE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.004 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:160 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:25 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):30 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Со склада 0

Итого $0.00000