Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：DMC3021LSD-13
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：DIODES INC
- Код упаковки компонента：SOT
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Ранг риска：1.64
- Описание Samacsys：MOSFET Dual N/P-Channel 30V 8.5A/7A SO8 Diodes Inc DMC3021LSD-13 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 8-Pin SOIC
- Максимальный ток утечки (ID)：8.5 A
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：2
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу：40
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：8.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.021 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：26 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2.5 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты