Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:16 Weeks
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Количество элементов:1
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Максимальный ток утечки (ID):9.3 A
  • Описание Samacsys:MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
  • Ранг риска:1.61
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
  • Производитель IHS:DIODES INC
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:DMN1019USN-7
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Нормативная Марка:AEC-Q101
  • Код JESD-30:R-PDSO-G3
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.1 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:12 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Со склада 0

Итого $0.00000