Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Температура работы-Макс:150 °C
- Количество элементов:1
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Максимальный ток утечки (ID):9.3 A
- Описание Samacsys:MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
- Ранг риска:1.61
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Производитель IHS:DIODES INC
- Код цикла жизни компонента:Active
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:DMN1019USN-7
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.1 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:12 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000