(0)
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：SUD35N10-26P-E3
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY SILICONIX
- Код упаковки компонента：TO-252
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Ранг риска：2.26
- Максимальный ток утечки (ID)：12 A
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252
- Максимальный сливовой ток (ID)：35 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.026 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：40 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：55 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：83 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
