Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:IRFR5305TRPBF
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Описание пакета:LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
- Ранг риска:0.62
- Максимальный ток утечки (ID):31 A
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу:30
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252AA
- Максимальный сливовой ток (ID):31 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.065 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:110 A
- Минимальная напряжённость разрушения:55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):280 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):110 W
Со склада 0
Итого $0.00000