(0)
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：FDC6305N
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Код упаковки производителя：419BL
- Ранг риска：0.99
- Описание Samacsys：FDC6305N, Dual N-channel MOSFET Transistor, 2.7A 20V, 6-Pin SuperSOT
- Максимальный ток утечки (ID)：2.7 A
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：2
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：ON Semiconductor
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：2.7 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.08 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.96 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
