Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:4
  • Материал элемента транзистора:SILICON CARBIDE
  • Артикул Производителя:1011GN-250EP
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Ранг риска:5.55
  • Количество элементов:1
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Положение терминала:UPPER
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Код JESD-30:R-XUFM-N4
  • Конфигурация:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Применение транзистора:AMPLIFIER
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Минимальная напряжённость разрушения:125 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
  • Максимальная мощность dissipation окружающей среды:460 W
  • Уголок мощности-минимум (Гп):20 dB

Со склада 0

Итого $0.00000