Изображение служит лишь для справки
2SJ181STR-E
-
Renesas Electronics America
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Pch Single Power Mosfet -600V -0.5A 25000Mohm DPAK(S)/To-252
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：2SJ181STR-E
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Код упаковки компонента：DPAK(S)
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Код упаковки производителя：PRSS0004ZD-C4
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Количество элементов：1
- Максимальный ток утечки (ID)：0.5 A
- Ранг риска：5.75
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：25 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：1 A
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：20 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты