Изображение служит лишь для справки
2SK3604-01L
-
FUJI ELECTRIC CO LTD
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 150V,0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：2SK3604-01L
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：FUJI ELECTRIC CO LTD
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Ранг риска：5.71
- Максимальный ток утечки (ID)：16 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：IN-LINE
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：16 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.105 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：64 A
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：189 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：50 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты