Изображение служит лишь для справки
2SK3916-01
-
FUJI ELECTRIC CO LTD
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D),450V,1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：2SK3916-01
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：FUJI ELECTRIC CO LTD
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Ранг риска：5.76
- Максимальный ток утечки (ID)：4.3 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：4.3 A
- Сопротивление открытого канала-макс：1.6 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：17.2 A
- Минимальная напряжённость разрушения：450 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：211 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：60 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты