(0)
Изображение служит лишь для справки
2SC4252TE85L
-
Toshiba
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Trans GP BJT NPN 12V 0.03A 3-Pin USM
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：2SC4252TE85L
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Ранг риска：5.8
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：125 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Траниционный частотный предел (fT)：2100 MHz
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.03 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：12 V
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：1.4 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
