Изображение служит лишь для справки
5SND0800M170100
- Power Integrations
- Интегральные схемы (ИС)
- -
- POWER IGBT TRANSISTOR
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:10
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:5SND0800M170100
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ABB LTD
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X10
- Ранг риска:5.72
- Количество элементов:2
- Температура работы-Макс:125 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff):1060 ns
- Время включения (тон):655 ns
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:10
- Код JESD-30:R-PUFM-X10
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:GENERAL PURPOSE SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC):800 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1700 V
Со склада 0
Итого $0.00000