(0)
Изображение служит лишь для справки
APTC80A15T1G
-
Microchip
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Power Mosfet Transisto
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：12
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：APTC80A15T1G
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
- Ранг риска：5.84
- Максимальный ток утечки (ID)：28 A
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：2
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Код JESD-609：e1
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：12
- Код JESD-30：R-XUFM-X12
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：28 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.15 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：110 A
- Минимальная напряжённость разрушения：800 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：670 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：277 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
