Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
APT6025SLLG
-
Microchip
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальная температура рефлоу:30
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Ранг риска:5.11
- Максимальный ток утечки (ID):24 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Артикул Производителя:APT6025SLLG
- Рохс Код:Yes
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Конечная обработка контакта:PURE MATTE TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):245
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.25 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:96 A
- Минимальная напряжённость разрушения:600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):1300 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000