Изображение служит лишь для справки






APM4812KC-TRG
-
American Beauty
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:APM4812KC-TRG
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:ANPEC ELECTRONICS CORP
- Код упаковки компонента:SOIC
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Ранг риска:5.76
- Максимальный ток утечки (ID):8 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу:40
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:MS-012AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.022 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:30 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000