Изображение служит лишь для справки
BAS16-B0R5G
-
Taiwan Semiconductor
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- R-PDSO-G3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：3
- Артикул Производителя：BAS16-B0R5G
- Максимальная мощность рассеяния：0.225 W
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Количество элементов：1
- Ранг риска：5.57
- Описание пакета：R-PDSO-G3
- Производитель IHS：TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- Код цикла жизни компонента：Active
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOW POWER LOSS
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：RECTIFIER DIODE
- Выводная мощность-макс：0.15 A
- Максимальное обратное напряжение：75 V
- Время обратной восстановительной максимальная：0.003 µs
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты