Изображение служит лишь для справки
BZW06-19R0
- Taiwan Semiconductor
- Интегральные схемы (ИС)
- -
- O-PALF-W2
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 years ago)
- Поверхностный монтаж:NO
- Монтаж:Through Hole
- Количество контактов:2
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Артикул Производителя:BZW06-19R0
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- Описание пакета:O-PALF-W2
- Ранг риска:5.36
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:LONG FORM
- Максимальная мощность рассеяния:1.7 W
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Обратная напряженность отстоя:18.8 V
- Статус жизненного цикла производителя:ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
- РХОС:Compliant
- Пакетирование:Tape and Reel
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура:175 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Дополнительная Характеристика:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Положение терминала:AXIAL
- Форма вывода:WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:O-PALF-W2
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Ток утечки:1 µA
- Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Уровень задержки:39.3 V
- Пиковый импульсный ток:102 A
- Максимальная импульсная мощность:600 W
- Ток испытания:1 mA
- Максимальное обратное напряжение:18.8 V
- Код JEDEC-95:DO-204AC
- Обратное пробивное напряжение:20.9 V
- Максимальная мощность разрядки:600 W
- Минимальная напряжение разрушения:20.9 V
- Максимальная напряжённость разрушения:23.1 V
Со склада 0
Итого $0.00000