Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
CMUDM8001
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:CMUDM8001
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета:ULTRAMINI-3
- Ранг риска:5.75
- Максимальный ток утечки (ID):0.1 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-F3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:12 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000