(0)
Изображение служит лишь для справки
H5N2521FN-E-T2
-
Intersil (Renesas Electronics America)
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Date Sheet
Lagernummer 6915
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：H5N2521FN-E-T2
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Код упаковки компонента：TO-220FN
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Ранг риска：5.84
- Максимальный ток утечки (ID)：3 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：3 A
- Сопротивление открытого канала-макс：2.2 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：6 A
- Минимальная напряжённость разрушения：250 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：20 W
Со склада 6915
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
